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硼化技術(shù)

硼化技術(shù)，采用硼氫化合物如乙硼烷（B2H6）、十硼烷（B10H14）或有機硼化物如B(CH3)3作為硼源，以等離子體化學氣相沉積的方式在相應(yīng)的基體材料內(nèi)壁上生長一層硼膜。從而可有效抑制內(nèi)壁金屬雜質(zhì)和氧、碳雜質(zhì)逸出，有效降低等離子體放電能量損失，顯著改善托卡馬克的放電性能。

技術(shù)意義

雜質(zhì)離子可使等離子體的能量過度損失

對等離子體雜質(zhì)離子進行抑制、吸附，獲得高純等離子體，是實現(xiàn)受控熱核聚變必須解決的重大問題之一。 核聚變裝置物理實驗中, 高溫等離子體與壁相互作用, 使得腔壁釋放各種雜質(zhì)進入等離子體中, 造成等離子體能量的巨大損失。在核聚變真空腔室內(nèi)壁生長硼膜，可有效抑制金屬雜質(zhì)和氧、碳雜質(zhì)逸出，有效降低等離子體放電能量損失，大大改善等離子性能。這種保護方法的發(fā)展形成了一種稱為硼化技術(shù)。 

新奧科技硼化技術(shù)成果

                                                  左上：硼化過程     右上：硼膜實現(xiàn)腔壁全覆蓋      左下：硼膜/基底致密結(jié)構(gòu)      右下：硼膜成分分析

 目前已實現(xiàn)穩(wěn)定為新奧EXL50聚變裝置內(nèi)部進行硼化處理。

新奧硼化技術(shù)參數(shù)

a)膜層厚度可達100-300nm
b)沉積速率0.6nm/min-5nm/min可控
c)無脫落現(xiàn)象，結(jié)合力＞240N/m